טמפרטורת פני השטח של מכונת יצירת ואקום מכונת ציפוי קרן אלקטרונים היא פרופורציונלית לעוצמת קרן האלקטרונים

טמפרטורת פני השטח של מכונת יצירת ואקום מכונת ציפוי קרן אלקטרונים היא פרופורציונלית לעוצמת קרן האלקטרונים

טמפרטורת פני השטח של סרטים וחלקים מעובדים היא פרופורציונלית לעוצמת קרן האלקטרונים. ניתן לשלוט בעוצמת קרן האלקטרונים על ידי שליטה בזרימת הזרם אל חוט הלהט, ובכך לשלוט בטמפרטורת פני השטח של חומר הסרט הדק והחלקים המעובדים.

מכונה ליצירת ואקום מכונה לציפוי קרן אלקטרונים צריכה לחמם תחילה את החוט

כאשר ציפוי קרן האלקטרונים פועל, יש לחמם תחילה את החוט. זרם החימום המוקדם של נימה הוא 60-90A, וזמן החימום המוקדם הוא יותר מ-20 דקות. לאחר חימום החוט, האנרגיה הפוטנציאלית של האלקטרונים בחוט (קתודה) עולה כהכנה לפליטת אלקטרונים. בשלב זה, כאשר המתח של 20KV]JI~ (2) מופעל, החוט (קתודה) מתחיל לפלוט אלקטרונים תחת פעולת השדה החשמלי. בפעולה המשולבת של מערכת המיקוד, סליל ההטיה והמתח המאיץ, האלקטרונים הנפלטים מהלהט (קתודה) נאספים לאורה ונפלטים לחומר הסרט או לחלק לעיבוד במהירות גבוהה מאוד.

אמצעים לשיפור שכבת הסרט של ציוד ציפוי ואקום:

(1) אופים לאחר הציפוי. לאחר ציפוי שכבת הסרט האחרונה, אל תפסיקו מיד את האפייה, וממשיכים "לטמפרר" במשך 10 דקות. הפוך את מבנה הסרט ליציב יותר.

(1) זמן הקירור מוארך כראוי, והתיישנות החישול מתבצעת. הפחת מתח תרמי הנגרם מהפרשי טמפרטורות מופרזים בין תא הוואקום ומחוץ לו.

(2) במהלך תהליך האידוי של סרט בעל השתקפות גבוהה וסרט סינון, טמפרטורת המצע לא צריכה להיות גבוהה מדי, וטמפרטורה גבוהה קלה ליצור מתח תרמי. ויש לו השפעה שלילית על היציבות האופטית של תחמוצת טיטניום, תחמוצת טנטלום וחומרי סרט אחרים.

(iii) תהליך ציפוי בעזרת יון להפחתת מתח.

(iv) בחר את מערכת הסרט המתאימה שתתאים, ההתאמה בין השכבה הראשונה של חומר הסרט למצע. (לדוגמה, הסרט האנטי-שכבתי בן חמש השכבות מאמץ את Al2O3-ZrO2-Al2O3-Al2O3-ZrO2-MgF2; ZrO2 יכול גם להשתמש ב-SV -5 (חומר סרט מעורב ZrO2 TiO2) או חומר סרט מעורב אחר עם אינדקס שבירה גבוה.

(V) הפחיתו כראוי את קצב האידוי (Al2O3-2.5A/S; ZrO2-3A/S; MgF2-6A/S שיעור התייחסות)

(vi) כל חומרי סרט התחמוצת מלאים בחמצן ומצופים באופן תגובתי, וכמות צריכת החמצן נשלטת בהתאם לחומרי סרט שונים.

www.superbheater.com